PSMN013-100BS,118 与 IPB123N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN013-100BS,118 | IPB123N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN013-100BS,118 | A-IPB123N10N3 G |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 10.7mΩ |
| 上升时间 | - | 8ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 35nC |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 29S |
| 封装/外壳 | SOT404 | - |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 68A | 58A |
| 配置 | - | Single |
| 输入电容 | 3195pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 下降时间 | - | 5ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2500pF @ 50V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 46µA |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 170W | 94W |
| 输出电容 | 221pF | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 24ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 13.9mΩ@10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN013-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 170W 175°C 3V 100V 68A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRFS4610 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 73A 14mΩ 190W 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFS4410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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